Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («карман») полупроводниковой структуры. Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора.Apr 18, 2013
Принцип работы флеш—памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области ("карман") полупроводниковой структуры. Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора.
Во время записи данных на управляющий затвор подается положительное напряжение и некоторая часть электронов направляется (двигается) от стока к истоку, отклоняясь к плавающему затвору. Часть электронов преодолевает тонкий слой изолятора и проникают в плавающий затвор, где и остаются на продолжительный срок хранения.
Разновидности по основным характеристикам
- Объем памяти. Конечно, это важнейший параметр накопителя. …
- Скорость работы. Большинство пользователей выбирают накопители, исходя из объема физической памяти, забывая о том, что скорость передачи данных не менее важна. …
- Дополнительные возможности.
Aug 20, 2020
